Главная
страница 1страница 2страница 3
ОТЧЕТ О ВЫПОЛНЕНИИ ПРОЕКТА РЕАЛИЗАЦИИ ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЙ ПЛАТФОРМЫ

«РАЗВИТИЕ РОССИЙСКИХ СВЕТОДИОДНЫХ ТЕХНОЛОГИЙ» В 2012 ГОДУ

ОАО «Роснано»

2013

Раздел 1. Формирование состава участников технологической платформы.

Технологическая платформа «Развитие российских светодиодных технологий» была создана в соответствии с Протоколом президиума Правительственной комиссии по инновациям от 3 марта 2011 года.

Целью функционирования Платформы является развитие в России нового направления промышленности, основанного на нанотехнологиях: массового производства светодиодов и светотехнических устройств на их основе. Развитие светодиодной промышленности обеспечит сохранения за Россией приоритета в части данной технологии, создание новой экспортно-ориентированной отрасли, значительную экономию электроэнергии, а также ресурсов, являющихся топливом при выработке электроэнергии.

Повсеместное применение светодиодного освещения обеспечит радикальное сокращение затрат электроэнергии на освещение. Только экономия на создании электрических мощностей составит не менее 124 млрд. рублей и сэкономит более 2,5 ГВт электроэнергии. Одновременно будет обеспечена экономия невозобновляемых природных ресурсов, являющихся топливом при выработке электроэнергии, уменьшение нагрузки на энергогенерирующие станции, сокращение выбросов CO2 в атмосферу. При этом освобождающиеся энергетические мощности можно будет либо использовать в других областях экономики, либо экспортировать.

Отдельно необходимо упомянуть про ожидаемое резкое снижение затрат на сопутствующую инфраструктуру электроэнергетики в связи с резким (до 10 раз) снижением требований к потребляемой мощности при равном количестве света.

Задачами технологической платформы являются:

- Создание на современном уровне отрасли по производству светодиодной продукции и ряда смежных отраслей;

- Обеспечение конкурентоспособного мирового уровня НИОКР в сфере светодиодного освещения;

- Обеспечение эффективного взаимодействия ведущих российских научных школ полупроводниковой микроэлектроники, производственных компаний, бюджетных и частных венчурных инвестиционных фондов для ускоренной разработки и внедрения новых технологий и продуктов светодиодного освещения;

- Объединение усилий органов государственной власти, научных и производственных учреждений для обеспечения технологической, правовой, финансовой, административной и информационной основы развития светодиодной промышленности;

- Развитие спроса на светодиодные технологии и формирование цивилизованного рынка;

- Наращивание объемов экспорта светодиодной продукции.

По данным на 8 февраля 2013 года в технологической платформе зарегистрировалось 30 организаций, из них:

Научные организации (ВУЗы и НИИ)- 13 участников

Производители светодиодов и светотехники- 10 участников

Иные организации (сокоординаторы, НП, коммерческие организации) - 7 участников



№ п\п

Название организации

Адрес

Контактное лицо

1

ОАО "РОСНАНО"

117036, г. Москва, пр-т 60-летия Октября, 10А

Управляющий директор Поликарпов Сергей Сергеевич

2

ОАО "Российская электроника"

127299, г. Москва, ул. Космонавта Волкова, д. 12

Сергей Анатольевич Старцев

3

ООО «Световые Технологии»

127273, г. Москва, ул. Отрадная, 2Б, стр. 2

Руководитель направления «светодиодное освещение» Аникин Алексей Петрович

4

Российский федеральный ядерный центр - Всероссийский научно-исследовательский институт технической физики им. Академика Е.И. Забабахина

456770, Снежинск, Челябинская область, ул. Васильева, 13, а. я. 245.

Заместитель директора Водолага Борис Константинович

5

ОАО «Альметьевский завод «Радиоприбор»

423400, Россия, Татарстан, г. Альметьевск, пр-т. Строителей, 2

Заместитель генерального директора по развитию и инвестициям Гульков Владимир Викторович

6

Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» имени В.И. Ульянова

197376, Санкт-Петербург, улица Профессора Попова, дом 5

д.ф-м.н., профессор кафедры микроэлектроники Зубков Василий Иванович

7

ЗАО «Светлана-Оптоэлектроника»

194156, Санкт-Петербург, пр. Энгельса, дом 27

Заместитель генерального директора

по научной и проектной работе



8

ЗАО "Оптоган"

198205 Санкт-Петербург, Таллинское шоссе, д.206

Начальник отдела программ инновационного развития Лысенков Илья Сергеевич

9

ООО "Ната-Инфо"

424007, Россия, Республика Марий Эл, г. Йошкар-Ола, ул. Прохорова, 28

Максимов Владимир Валентинович

10

ООО «Люмина»

623281, Россия, Свердловская область, г.Ревда, ул.Некрасова, д.111

Маханов Алексей Александрович

11

ООО «Филипс»

119048 Москва, ул. Усачева, д. 35

Директор по стратегии и развитию бизнеса Сябренко Елена Михайловна

12

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН

194021, Санкт-Петербург, Политехническая ул., 26

Заместитель директора Устинов
Виктор Михайлович

13

Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
информационных технологий, механики и оптики

197101, Санкт-Петербург, пр. Кронверкский, д.49.

Начальник отдела по работе с технологическими платформами Толстикова Анна Александровна

14

Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники

634050, г. Томск, пр. Ленина, 40

Авдзейко В.И. (3822)701-584

15

ОАО ЦНИИ "Циклон"

107497 Москва, Щелковское шоссе, 77

Солодков Алексей Аркадьевич

16

ОАО «Плазма» (НИИ газоразрядных приборов)

390023, Россия, г. Рязань
ул. Циолковского, 24

Кукса Александр Анатольевич

17

ФГУП "Государственный завод "Пульсар"

105187, Москва, Окружной проезд, д. 27

Рахмилевич Рафаил Борисович

18

ФГУП «НИИ вакуумной техники им С.А. Векшинского»

117105, г.Москва, Нагорный проезд, д.7.

Калачев Эдуард Владимирович

19

ФГОУ ВПО "Мордовский государтсвенный университет имени Огарева"

430005 Республика Мордовия, г. Саранск, ул. Б. Хмельницкого д. 39, к. 307

Ашрятов Альберт Аббясович

20

ФГОУ ВПО "Дальневосточный Федеральный университет"

690950, г. Владивосток, ул. Суханова д. 8

Пастухов Павел Олегович

21

НП Производителей светодиодов и систем на их основе

194135, Санкт-Петербург, пр. Энгельса, дом 27

Долин Евгений Владимирович

22

ПО «Электроточприбор»

Россия, 644042, г. Омск, пр. К. Маркса, 18

 

23

ОАО "Электровыпрямитель"

430001, Россия, Мордовия,
г. Саранск,
ул. Пролетарская, д. 126

Елисеев Вячеслав Васильевич

24

Российский химико-технологический университет им. Менделееева

125047, Москва, пл. Миусская, 9

Помощник ректора

Михаил Гордеев

8(916)6002123


26.

ООО «Оптоган. Новые технологии света»

198025, г. Санкт-Петербург, Старо-Паново, Таллинское шоссе д.206

Краузе Юлия Аркадьевна

26.

ООО «Совершенные кристаллы»

198025, г. Санкт-Петербург, Старо-Паново, Таллинское шоссе д.206

Николаев Владимир Иванович

27.

ГИРЕДМЕТ

119017, г. Москва, Б. Толмачевский пер., д.5

Юрий Николаевич Пархоменко

29.



Томский государственный

Университет




634050, г. Томск, пр. Ленина, 36


Маковеева Виктория Владимировна


30.



ОАО «Миасский машиностроительный завод»

456320, Челябинская область, Миасс, Тургоякское шоссе, 1

Трифонов Н.Н.

Раздел 2. Создание организационной структуры технологической платформы.

Председателем технологической платформы является С.С. Поликарпов. Согласно распоряжению координатора технологической платформы № 10/1-Р от 1 марта 2012 года, также были созданы следующие органы управления технологической платформой «Развитие российских светодиодных технологий»:

1. Секретариат технологической платформы.

Руководитель: В.С.Фидлер

2. Комитет по стандартизации и сертификации светодиодной продукции. Руководитель: Д. Д. Плавская

3. Комитет по науке и стратегическому развитию

Руководитель: И.С.Лысенков

4. Комитет по выставочной и конгрессной деятельности

Руководитель: Е.В. Долин

5. Комитет по работе с участниками ТП и внешним связям

Руководитель: Ю.А. Краузе
Рисунок 1. Схема оргацизационной структуры технологической платформы

Данные органы управления исполняют следующие функции:



1. Секретариат ТП:

-организует деятельность ТП

-выполняет техническую работу

-ведет реестр участников ТП, а также реестр проектов

-контролирует исполнение распоряжений председателя ТП

2. Комитет по стандартизации и сертификации светодиодной продукции:

3. Комитет по науке и стратегическому развитию:

- разрабатывает программы исследований ТП

-разрабатывает проекты в рамках ТП

-проводит экспертизу проектов

-организует научные семинары и конференции

4. Комитет по выставочной и конгрессной деятельности:

-определяет стратегии и план проведения мероприятий

-координирует участие членов ТП в конгрессах и выставках

5. Комитет по работе с участниками ТП и внешним связям:

-организует процесс взаимодействия участников ТП между собой и органами управления ТП

-созывает и организовывает общее собрание участников ТП

-отвечает за привлечения новых участников ТП и их адаптацию.



Раздел 3. Разработка стратегической программы исследований.

- Сформированы предложения по 6 тематикам исследований в рамках ФЦП «Исследования и разработки»;

- Рассмотрены все обращения Минэкономразвития и проанализированы все предложения по включению тематик технологической платформы в проекты государственных программ.

1) «Разработка ап- и даун-конвертеров инфракрасного и ультрафиолетового излучения на основе наностеклокерамик для повышения эффективности солнечных батарей», Мин.обр.науки, 2012-2013, результат интеллектуальной деятельности (РИД) - Диплом и медаль за участие в Международной выставке «Photonics-World of Lasers and Optics», 2012; ИТМО

2) «Новые неорганические люминофоры на основе стекол и наностеклокерамик для энергоэффективных светодиодных источников белого света», Мин.обр.науки., 2012-2013, РИД - Диплом и медаль за участие в Международной выставке «Photonics-World of Lasers and Optics», 2012; ИТМО

3) «Энергоэффективные люминофоры на основе наноструктурированных неорганических материалов, активированных ионами редкоземельных и переходных металлов, для светодиодов белого света», Мин.обр.науки., 2012-2013, РИД - Диплом за участие в VIII Международном форуме «OPTICS-EXPO / Оптические приборы и технологии – 2012» ИТМО.

Была проведена работа по сбору и рассмотрению предложений участников ТП на формирование заявок на проведение исследований в области светодиодных технологий в рамках ФЦП «Исследования и разработки». ТП направила в адрес Министерства образования и науки РФ 6 заявок на формирование тематики исследований, на основе которых был объявлен Лот «Выполнение поисковых научно-исследовательских работ по теме: «Исследование и разработка перспективных материалов для энергосберегающих светодиодных технологий». На данный лот было подано 23 заявки от ведущих ВУЗов и научных центров страны (http://zakupki.gov.ru/pgz/public/action/orders/info/commission_work_result/show?notificationId=5274920).

Это говорит об очень высоком интересе научного сообщества к светодиодной тематике. Основной привлекательной чертой светодиодной технологии является принципиально более высокий по сравнению с альтернативами уровень светоотдачи, что способно привести к целому ряду экономических и социальных эффектов, важнейший из которых – радикальное сокращение затрат электроэнергии на освещение, составляющих по различным оценкам до 18-20% всех затрат произведенной электроэнергии



Тематический план работ и проектов ТП «Развитие российских светодиодных технологий» в сфере исследований и разработок


№ п/п

Наименование и цель проекта

Этапы и сроки реализации проекта, стоимость

(млн руб.)



Задачи проекта (этапа)

Ожидаемые результаты

Вклад в решение задач ТП

1

Белые светодиоды на основе синих светодиодных кристаллов с люминофорными покрытиями: улучшение характеристик белых светодиодов и снижение их стоимости

Этап 1 до 2015 года

Стоимость уточняется



Разработка дизайна эпитаксиальных структур и режимов эпитаксиального роста

Технологии, позволяющие выращивать эпитаксиальные слои GаN и гетероструктуры InGaN/GaN или AlGaN/GaN на сапфировых подложках с особо низким количеством ростовых дефектов (дислокаций) и низким уровнем внутренних механических напряжений
Технологии создания гетероэпитаксиальных структур с множественными квантовыми ямами AlGaN/InGaN/GaN


Создание на современном уровне технологической основы отрасли по производству светодиодной продукции
Обеспечение эффективного взаимодействия ведущих российских научных школ полупроводниковой микроэлектроники, производственных компаний, бюджетных и частных венчурных инвестиционных фондов для ускоренной разработки и внедрения новых технологий и продуктов светодиодного освещения
Обеспечение конкурентоспособного мирового уровня НИОКР в сфере светодиодного освещения

Этап 2 до 2015 года

Стоимость уточняется



Разработка технологии эпитаксиального роста светодиодных структур на основе III-N соединений на сапфировых подложках большого диаметра (6-8 дюймов)

То же на подложках большего диаметра

Этап 3 до 2015 года

Стоимость уточняется



Разработка новых решений, позволяющих повысить эффективность отвода тепла от светоизлучающего кристалла

Конструкции светодиодов с повышенной эффективностью, КПД и рабочей плотностью тока

Этап 4 до 2015 года

Стоимость уточняется



Разработка методов увеличения вывода света из светодиода. Включает в себя:

– изготовление профилированных подложек сапфира и эпитаксиальный рост светодиодных структур на профилированных подложках;

– разработку методов отделения подложки сапфира и изготовление светодиодов;

– применение технологии фотонных кристаллов.



Методы увеличения вывода света из светодиода на основе профилирования подложек и эпитаксиального роста на них с дальнейшим отделением подложки для повторного использования

Этап 5 до 2015 года

Стоимость уточняется



Разработка люминофоров с улучшенной эффективностью и спектральными характеристиками

Рецептура и технология производства люминофоров







Этап 6 до 2015 года

Стоимость уточняется.



Технология выращивания светодиодных эпитаксиальных структур на полярных и полуполярных подложках, приготовленных из объемного GaN.

Минимизация или полное исключение падения эффективности излучения с ростом плотности инжекционного тока вплоть до значений, превышающих 100 А/ см2.

Технология изготовления светодиодов с большой эффективностью при больших плотностях рабочего тока.






2

Гибридные многокристальные белые светодиоды (RGB, RGAB, RGBW): улучшение качества белого цвета и управление цветовыми характеристиками

Этап 1 до 2015 года

Стоимость уточняется



Разработка технологии светодиодов желто-зеленого диапазона длин волн (540-580 нм), отсутствующих в настоящее время на рынке

Технология производства светодиодов желто-зеленого диапазона длин волн (540-580 нм)

Обеспечение конкурентоспособного мирового уровня НИОКР в сфере светодиодного освещения
Обеспечение эффективного взаимодействия ведущих российских научных школ полупроводниковой микроэлектроники, производственных компаний, бюджетных и частных венчурных инвестиционных фондов для ускоренной разработки и внедрения новых технологий и продуктов светодиодного освещения

Этап 2 до 2015 года

Стоимость уточняется



Разработка технологии эпитаксиального роста красных светодиодов (600-700 нм) на основе системы материалов AlInGaP, не выпускаемых на территории РФ

Технология эпитаксиального роста красных светодиодов (600-700 нм) на основе системы материалов AlInGaP

Этап 3 до 2015 года

Стоимость уточняется



Разработка технологии эпитаксиального роста красных светодиодов (600-620 нм) на основе III-N соединений, не существующих в мире

Технология эпитаксиального роста красных светодиодов (600-620 нм) на основе III-N соединений

Этап 4 до 2015 года

Стоимость уточняется



Разработка дизайна и технологии сборки многокристальных гибридных светодиодов с эффективным смешением цветов, выводом излучения и отводом тепла

Технология сборки многокристальных гибридных светодиодов

3

Монолитные и монолитно-гибридные белые светодиоды (светодиоды, в которых кристаллы излучают более чем на одной длине волны): улучшение качества белого цвета и управление цветовыми характеристиками

Этап 1 до 2015 года

Стоимость уточняется



Разработка дизайна и технологии эпитаксиального роста монолитных светодиодных структур на основе III-N соединений для светодиодов белого света, содержащих 2-4 слоя InGaN, излучающих при различных длинах волн и образующих при смешении белый свет

Технология эпитаксиального роста монолитных светодиодных структур на основе III-N соединений для безлюминофорных светодиодов белого света

Обеспечение конкурентоспособного мирового уровня НИОКР в сфере светодиодного освещения.
Обеспечение эффективного взаимодействия ведущих российских научных школ полупроводниковой микроэлектроники, производственных компаний, бюджетных и частных венчурных инвестиционных фондов для ускоренной разработки и внедрения новых технологий и продуктов светодиодного освещения

Этап 2 до 2015 года

Стоимость уточняется



Разработка дизайна и технологии эпитаксиального роста светодиодных структур для монолитно-гибридных источников белого света, содержащих 2-4 слоя InGaN, излучающих при различных длинах волн, и образующих белый свет при смешении со светом, излучаемым другими кристаллами или люминофорами

Технология эпитаксиального роста монолитных светодиодных структур для монолитно-гибридных источников белого света на основе III-N соединений, образующих белый свет при смешении со светом, излучаемым другими кристаллами или люминофорами

Этап 3 до 2015 года

Стоимость уточняется



Разработка управляемых монолитных источников белого света с изменяемыми цветовыми характеристиками.

Технология производства управляемых монолитных источников белого света с изменяемыми цветовыми характеристиками.

4

Интегрированные светодиодные модули для энергосберегающих профессиональных осветительных систем

Этап 1 до 2015 года

Стоимость уточняется



Разработка систем по технологии chip-on-board


Технология производства высокоэффективных интегрированных светодиодных матричных модулей, реализованных по принципу «чип-на-плате», предназначенных для создания энергосберегающих осветительных систем нового поколения.

Обеспечение конкурентоспособного мирового уровня НИОКР в сфере светодиодного освещения
Коммерциализация нового продукта

5

Разработка полупроводниковых нитридных технологий на кремниевой подложке для приборов оптоэлектроники и микроэлектроники
Разработка технологии эпитаксиального роста светодиодных структур на основе III-N соединений на кремниевых подложках: снижение стоимости изделий и возможность интеграции с микроэлектронными чипами.

Этап 1 до 2015 года

Стоимость уточняется



Разработка технологии эпитаксиального роста светодиодных структур на основе III-N соединений на кремниевых подложках

Технология эпитаксиального роста светодиодных структур на основе III-N соединений на кремниевых подложках

Обеспечение конкурентоспособного мирового уровня НИОКР в сфере светодиодного освещения
Обеспечение эффективного взаимодействия ведущих российских научных школ полупроводниковой микроэлектроники, производственных компаний, бюджетных и частных венчурных инвестиционных фондов для ускоренной разработки и внедрения новых технологий и продуктов светодиодного освещения

Этап 2 до 2015 года

Стоимость уточняется



Разработка технологии химического отделения светодиодной структуры от кремниевой подложки с последующим матированием для повышения эффективности вывода света

Технология химического отделения светодиодной структуры от кремниевой подложки

Этап 3 до 2015 года

Стоимость уточняется



Разработка технологии эпитаксиального роста светодиодных структур на основе III-N соединений на кремниевых подложках большого диаметра (6-8 дюймов) и последующего химического отделения подложек

Технология эпитаксиального роста светодиодных структур на основе III-N соединений на кремниевых подложках большого диаметра (6-8 дюймов) и последующего химического отделения подложек

6

Создание отечественного эпитаксиального оборудования для эпитаксиального выращивания III-N материалов

до 2015 года

Стоимость уточняется



Создание линейки учебного, лабораторного и промышленного эпитаксиального оборудования, объединенного общими приемами работы и переносимостью технологии

Конструкторская и технологическая документация на оборудование. Опытные действующие установки

Экспортозамещение дорогостоящего высокотехнологичного оборудования

7

Светодиодные решения для медицинских применений
Разработка светодиодов ультрафиолетового диапазона: экология, очистка воды и т.д.

Этап 1 до 2015 года

Стоимость уточняется



Разработка дизайна и технологии эпитаксиального роста светодиодных структур на основе III-N соединений для диапазона длин волн 250-300 нм

Технология эпитаксиального роста светодиодных структур на основе III-N соединений для диапазона длин волн 250-300 нм

Развитие спроса на светодиодные технологии
Создание на современном уровне отрасли по производству светодиодной продукции и ряда смежных отраслей

Этап 2 до 2015 года

Стоимость уточняется



Разработка конструкции чипа светодиода

Чертежи и опытные образцы чипов

Этап 3 до 2015 года

Стоимость уточняется



Разработка конструкции и технологии корпусирования ультрафиолетовых светодиодов и светодиодных матриц

Технология корпусирования ультрафиолетовых светодиодов и светодиодных матриц

8

Электроника и оптоэлектроника на основе органических материалов

Этап 1 до 2015 года

Стоимость уточняется



Разработка архитектуры, при которой внешний квантовый выход структуры был бы максимальным при малом напряжении питания, достаточном сроке службы и стабильном белом свете

Лабораторный образец со светоотдачей минимально 50 люмен/Вт

Создание на современном уровне отрасли по производству светодиодной продукции и ряда смежных отраслей
Обеспечение конкурентоспособного мирового уровня НИОКР в сфере светодиодного освещения


Этап 2 до 2015 года

Стоимость уточняется



Разработка материалов, обладающих высокой внутренней квантовой эффективностью, низким напряжением питания и позволяющих увеличить срок службы устройства

Рецептура и технология производства обладающих высокой внутренней квантовой эффективностью, низким напряжением питания материалов

Этап 3 до 2015 года

Стоимость уточняется



Разработка методов и программ имитационного моделирования работы OLED с учетом свойств материалов, особенностей архитектуры и работы OLED

Программы имитационного моделирования работы OLED

Этап 4 до 2015 года

Стоимость уточняется



Исследование надежности методами моделирования, а также оптимизация температурных характеристик материалов. Изучение причин отказов на уровне устройств

Разработки термо- и влагоустойчивых материалов и устройств для OLED

Этап 5 до 2015 года

Стоимость уточняется



Разработка подложек, не пропускающий влагу и кислород. Другие требуемые качества: технологичность и эксплуатационная стабильность, малые вес, стоимость, хорошие оптические свойства и гибкость

Технология герметизации OLED

Этап 6 до 2015 года

Стоимость уточняется



Разработка новых материалов для электродов. Разработка новых прозрачных электродов с низким удельным сопротивлением более низкой стоимости при возможности массового производства

Рецептура и технология прозрачных электродов

Этап 7 до 2015 года

Стоимость уточняется



Разработка новых практических методов для нанесения органических материалов, изготовления устройств, или герметизации

Изготовление образца панели на основе интегрированных технологий производства и с возможностью создания панелей большой площади

Этап 8 до 2015 года

Стоимость уточняется



Разработка методов определения качества различных материалов и изучение взаимосвязьи между качеством материалов и характеристиками OLED-прибора

Методы контроля качества материалов для производства OLED

Этап 9 до 2015 года

Стоимость уточняется



Разработка методов оптимизации светильника, проверки его надежности и ускоренных методов тестирования срока службы

Методы оценки надежности и ускоренного старения OLED светильников

9

Разработка светодиодных светильников и систем управления

Этап 1 до 2015 года

Стоимость уточняется



Интеллектуальные системы управления светодиодным освещением

Технология промышленного производства и массовое внедрение простых и доступных систем интеллектуального управления внутренним освещением

Создание на современном уровне отрасли по производству светодиодной продукции и ряда смежных отраслей
Обеспечение конкурентоспособного мирового уровня НИОКР в сфере светодиодного освещения


Этап 2 до 2015 года

Стоимость уточняется



Технологии производства светодиодных ламп замещения для массовых применений

Создание общедоступных по цене, максимально эффективных и безотказных светодиодных ламп замещения на основе прорывных научных исследований
Качественный переход от отдельного светодиода (LED) к полностью интегрированной интеллектуальной осветительной схеме (ISLC – Integrated Smart LED Circuit)







Этап 2 до 2015 года

Стоимость уточняется



Разработка новых ресурсосберегающих светодиодных технологий для использования в растениеводстве в защищенном грунте

Разработка новых ресурсосберегающих светодиодных технологий для использования в растениеводстве в защищенном грунте

Создание на современном уровне отрасли по производству светодиодной продукции и ряда смежных отраслей
Обеспечение конкурентоспособного мирового уровня НИОКР в сфере светодиодного освещения


10

Исследования влияния новых источников света на организм человека

Этап 1 до 2015 года

Стоимость уточняется



Оценка фотобиологической безопасности органических и неорганических светодиодных источников света для организма человека для различных возрастных групп

Методы оценки фотобиологической безопасности органических и неорганических светодиодных источников света для организма человека.

Предложения по корректировке действующих нормативных документов



Развитие спроса на светодиодные технологии
Объединение усилий органов государственной власти, научных и производственных учреждений для обеспечения технологической, правовой, финансовой, административной и информационной основы развития светодиодной промышленности


Этап 2 до 2015 года

Стоимость уточняется



Определение обоснованных норм освещенности, пульсаций, спектрального состава и блесткости для различных возрастных групп

Методы оценки качества освещения различных помещений и объектов.

Предложения по корректировке действующих нормативных документов




следующая страница >>
Смотрите также:
Отчет о выполнении проекта реализации Технологической платформы «Авиационная мобильность и авиационные технологии» в 2011 году и предложения в план действий Технологической платформы на 2012 год
672.88kb.
4 стр.
Отчет о выполнении проекта реализации технологической платформы
504.91kb.
3 стр.
Рекомендации по разработке проекта реализации технологической платформы
536.41kb.
3 стр.
Представление департамента воспитания и социализации детей
103.34kb.
1 стр.
Проект руководитель организации- инициатора-координатора технологической платформы
665.95kb.
3 стр.
Предложения организаций участников
137.97kb.
1 стр.
Отчет по реализации приоритетного национального проекта «Образование»
55.57kb.
1 стр.
Отчет по реализации приоритетного национального проекта «Образование»
32.6kb.
1 стр.
Отчет о ходе реализации проекта «родинки на карте»
68.1kb.
1 стр.
Отчет о выполнении Плана мероприятий по противодействию коррупции
148.01kb.
1 стр.
Отчет о ходе реализации приоритетного национального проекта «Здоровье» в Калининградской области г. Калининград 2010 г
773.26kb.
4 стр.
Программы «Телекоммуникационные и мультимедийные ресурсы со ран»
101.03kb.
1 стр.