Направление подготовки: 140800 – «Ядерная физика и технологии»

Базовая кафедра – Кафедра микро- и наноэлектроники (кафедра №27).

Срок обучения в магистратуре – 2 года

1. Целью данной программы является подготовка высококвалифицированных специалистов для научно-исследовательской, проектно-технологической и организационно-управленческой деятельности в следующих областях:

исследование и разработка новых принципов функционирования микро- и наноэлектронных приборов, создание методов и средств их проектирования и изготовления;

разработка систем управления, сбора и обработки данных на базе современных микропроцессоров, программируемых логических микросхем, аналоговых устройств, оптоэлектронных и наноэлектронных приборов;

исследование свойств оптоэлектронных приборов, микро- и наноэлектронных датчиков и исполнительных устройств, организация их функционирования в контрольно-измерительных и управляющих системах,

создание методов проектирования микро- и наноэлектронных приборов и систем, разработка теоретических моделей для учета воздействия ионизирующего, лазерного и электромагнитного излучений на электронную аппаратуру;

проектирование новых типов интегральных микросхем, систем на кристалле, датчиков и преобразователей, оптоэлектронных и наноэлектронных приборов и устройств;

разработка технологии изготовления современных микро- и наноэлектронных приборов и устройств, включая создание радиационно-стойких изделий и изделий, работающих в экстремальных климатических условиях;

разработка технологии применения микро- и наноэлектронных приборов и систем в научных, промышленных, экологических и других целях.

2. Учебный план подготовки магистров предусматривает теоретическое обучение в течении трех семестров, подготовку и защиту магистерской диссертации в четвертом семестре. Учебный процесс сочетается с активной научно-исследовательской работой, которая выполняется под руководством опытных специалистов в научных лабораториях кафедры и базовых предприятий.

Основные дисциплины: «Физика микро- и наноструктур», «Физические установки», «Физические основы наноэлектроники», «Оптоэлектронные приборы и системы», «Микро- и наноэлектронные датчики и преобразователи», «Современные микро- и наноэлектронные технологии», «Надежность и радиационная стойкость микроэлектронных приборов и систем», «Проектирование интегральных микросхем и систем на кристалле», «Архитектура и программирование микропроцессорных систем», «Цифровая обработка сигналов», «Телекоммуникационные системы и сети»

3. Выпускники магистратуры получают необходимую подготовку для профессиональной деятельности в научно-исследовательских и конструкторских организациях и на предприятиях атомной, авиакосмической, радиоэлектронной промышленности и в смежных отраслях в качестве специалистов – исследователей и разработчиков новых типов микро- и наноэлектронных приборов и электронных систем различного назначения, включая системы, реализуемые на кристалле. Сочетание глубокой теоретической подготовки и необходимых практических навыков исследования, проектирования и конструирования микро- и наноэлектронных приборов и систем обеспечат высокую востребованность на рынке труда и создают условия для быстрого профессионального роста.